SEMIKRON整流器SKIIP 23NAB126V1

從 4A 到 1400A，電壓等級(jí)從 600V 到 1700V，IGBT 模塊可用于各種應(yīng)用。這些模塊采用燒結(jié)、彈簧或壓入式觸點(diǎn)等關(guān)鍵技術(shù)，組裝快捷方便。可用的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)包括 CIB（轉(zhuǎn)換器逆變制動(dòng)器）、半橋、H 橋、六組、3 電平等，涵蓋了各個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域。在這些拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中，新的 IGBT 芯片與 CAL 二極管技術(shù)相結(jié)合。新的7 代 IGBT 現(xiàn)已用于賽米控丹佛斯的功率模塊中。它們可提供更高的功率密度，尤其是在電機(jī)驅(qū)動(dòng)和太陽(yáng)能應(yīng)用領(lǐng)域，樹(shù)立了新的標(biāo)桿。

快速溝槽式 IGBT

穩(wěn)健的軟續(xù)流

采用 CAL 技術(shù)的二極管

用于電氣連接的高可靠性彈簧觸點(diǎn)

電氣連接

UL 認(rèn)證文件編號(hào) E63532

產(chǎn)地：德國(guó)

連接方式：電氣連接

逆變器功率：高達(dá) 16 千伏安

典型電機(jī)功率：7.5 千瓦

安裝扭矩：2至2.5 Nm

外殼（LL x BB x HH）：MiniSKiiP II 2（59 x 52 x 16）

V_CES：1200 V

I_CRM：25 A

技術(shù)：IGBT 3（溝槽）

重量：65 g

符合標(biāo)準(zhǔn)：E63532

電子、電力、通信、光纖行業(yè)